В Samsung Galaxy S9 будет больше встроенной памяти, чем в iPhone X

В Сети появилась информация, что максимальная версия Samsung Galaxy S9 получит 512 Гб встроенной памяти с новым стандартом eUFS.

В Samsung планируют полностью отказаться от карт памяти microSD, которые используются в большинстве смартфонов. Компания начала производство первой в мире 512 Гб флеш-памяти, которая использует новый стандарт eUFS. Напомним, что iPhone X в максимальной комплектации имеет всего лишь 256 Гб памяти.

Встроенная память быстрее, чем самая быстрая карта памяти. Благодаря новому стандарту eUFS получилось достигнуть скорости 860 Мб/c – на чтении и 255 Мб/с – при последовательной записи. То есть теперь фильм объемом 5 Гб можно передать на устройство за 6 секунд.

Ожидается, что данная память впервые будет установлена в Galaxy S9 и Galaxy S9+, которые анонсируют на выставке CES 2018.

• С каждым разом все хуже и хуже: новый рендер Samsung Galaxy S9
• Чехол Samsung Galaxy S9 раскрыл дизайн будущего флагмана
• Осталось совсем чуть-чуть. Samsung Galaxy S9 будет представлен в начале января
• Samsung Galaxy S9 может получить улучшенное распознавание радужной оболочки глаза и лица
• Да ну? Samsung Galaxy S9 получит неприлично длинный дисплей
• Так скоро? Производство Samsung Galaxy S9 начнется в декабре
• Пресс-рендер Samsung Galaxy S9. Сканер отпечатков пальцев по-прежнему сзади
• Появились рендеры Samsung Galaxy S9: различия в сравнении с Galaxy S8 минимальны
• Красавец! Появились рендеры Samsung Galaxy S9
• Процессор в Samsung Galaxy S9 обзаведется специальным сопроцессором для виртуальной реальности
• Наконец-то! Samsung Galaxy S9 получит сканер отпечатков в дисплее