Samsung представила ОЗУ DDR5 на 512 ГБ с частотой 7,2 ГГц
Техногигант Samsung анонсировал модули оперативной памяти стандарта DDR5 объемом до 512 ГБ (по 20 восьмислойных чипов с каждой стороны) для использования в дата-центрах и суперкомпьютерах. В производстве ОЗУ применяется техпроцесс HKMG, который используется для GDDR6.
Новая ОЗУ достигает частоты 7,2 ГГЦ, что минимум вдвое быстрее большинства модулей DDR4. Технология позволяет создавать модули и с более высокой частотой — до 8,4 ГГц. Такие решения от Samsung используются в разработке искусственного интеллекта, в дата-центрах для облачных вычислений, центрах управления предприятиями тяжелой промышленности и «умными» городами, а также в суперкомпьютерах.
- Samsung представила Galaxy A52 и A72: процессоры Snapdragon, быстрая зарядка и цены от 26 990 рублей
Одними из первых поддержку такой оперативной памяти получат процессоры Intel Xeon поколения Saphire Rapids благодаря сотрудничеству инженеров Intel и Samsung при разработке модулей DDR5. Обычные пользователи получат доступ к новому стандарту ОЗУ уже в конце 2021 или в начале 2022 года.
